A1 عیوب

در این صفحه تعداد 501 مقاله تخصصی درباره A1 عیوب که در نشریه های معتبر علمی و پایگاه ساینس دایرکت (Science Direct) منتشر شده، نمایش داده شده است. برخی از این مقالات، پیش تر به زبان فارسی ترجمه شده اند که با مراجعه به هر یک از آنها، می توانید متن کامل مقاله انگلیسی همراه با ترجمه فارسی آن را دریافت فرمایید.
در صورتی که مقاله مورد نظر شما هنوز به فارسی ترجمه نشده باشد، مترجمان با تجربه ما آمادگی دارند آن را در اسرع وقت برای شما ترجمه نمایند.

مقالات ISI A1 عیوب (ترجمه نشده)

مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.

Analysis of the growth conditions of long single crystalline basal-plane-faceted sapphire ribbons by the Stepanov/EFG technique

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A2. Edge defined film fed growth; A2. Growth from melt; A2. Stepanov method; B1. Sapphire

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Microstructure of PAMBE-grown InN layers on Si(1 1 1)

Keywords: A1 عیوب; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Meltback etching; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III/V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Structural features of epitaxial NiFe2O4 thin films grown on different substrates by direct liquid injection chemical vapor deposition

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Interfaces; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Oxides; B2. Magnetic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Diffusion coefficients of two mobile ions in three AB3In7VI12 single crystals (AB=Cu and Ag VI=Se or Te). Proposition of an equivalent electrical circuit

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Diffusion; B2. Semiconducting indium compounds; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Theoretical investigations for the polytypism in semiconductors

Keywords: A1 عیوب; A1. Computer simulations; A1. Crystal structures; A1. Defects; B2. Semiconducting II-VI materials; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The impact of germanium doping on the dislocation distribution in directional solidified mc-silicon

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Directional solidification; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; B1. Germanium silicon alloys; B3. Solar cell

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Reduction of threading dislocations in GaN on in-situ meltback-etched Si substrates

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Surfaces; A1. Etching; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Characterization of detector-grade CdZnTe:Al crystals obtained by annealing

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A2. Bridgman technique; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of high-quality InGaN/GaN LED structures on (1 1 1) Si substrates with internal quantum efficiency exceeding 50%

Keywords: A1 عیوب; A1. Substrates; A1. Defects; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Misoriented grains with a preferential orientation in a-plane oriented GaN layers

Keywords: A1 عیوب; A1. Characterization; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of cubic GaN on nano-patterned 3C-SiC/Si (0Â 0Â 1) substrates

Keywords: A1 عیوب; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

In-situ observation of bubble formation at silicon melt-silica glass interface

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Bubble; A2. Growth from melt; A2. Czochralski method; B1. Silica glass; B1. Silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Multi-roles of Cu ions in the ferromagnetic properties of (Cu, Al)-codoped ZnO thin films

Keywords: A1 عیوب; A1. Doping; A1. Defects; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Oxides; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Novel material for super high efficiency multi-junction solar cells

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Alloys; B2. Semiconducting III-V materials; D3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of type II strained layer superlattice, bulk InAs and GaSb materials for minority lifetime characterization

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

An X-ray diffraction technique for analyzing structural defects including microstrain in nitride materials

Keywords: A1 عیوب; A1. X-ray diffraction; A1. Characterization; A1. Defects; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Investigation of nitrogen behaviors during Czochralski silicon crystal growth

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Nitrogen doping; A2. Czochralski growth; B2. Silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Evolution and control of dislocations in GaN grown on cone-patterned sapphire substrate by Metal Organic Vapor PhaseEpitaxy

Keywords: A1 عیوب; A1. Atomic force microscope (AFM); A1. Defects; A3. Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD); B1. Nitride (GaN); B1. Patterned sapphire substrate (PSS)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Microhardness and structural defects of GaSe layered semiconductor

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Crystal morphology; A2. Bridgman technique; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Thermal stability of ZnO/ZnCdO/ZnO double heterostructures grown by pulsed laser deposition

Keywords: A1 عیوب; A1. Luminescence; A1. Defects; A1. Diffusion; A3. Physical vapor deposition processes; B2. Semiconducting II-VI-materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Size and distribution of Te inclusions in THM as-grown CZT wafers: The effect of the rate of crystal cooling

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Gamma detectors; A2. THM; B2. CdZnTe;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Single layer of silicon quantum dots in silicon oxide matrix: Investigation of forming gas hydrogenation on photoluminescence properties and study of the composition of silicon rich oxide layers

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Nanostructures; A1. Nucleation; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Hot-wire CVD of Ge nanoparticles on Si-etched silicon dioxide

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Nanostructures; A1. Nucleation; A3. Hot-wire chemical vapor deposition; B2. Silica; B2. Germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

3D numerical analysis of the influence of material property of a crucible on stress and dislocation in multicrystalline silicon for solar cells

Keywords: A1 عیوب; A1. Computer simulation; A1. Solidification; A1. Stresses; A1. Defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Formation mechanism of scattering centers in BaMgF4 single crystals

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Phase diagrams; A2. Czochralski method; B2. Ferroelectric materials; B2. Nonlinear optic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Fabrication of the carbon nanotubes with small pits or embedded by nanoparticles via template-assisted method

Keywords: A1 عیوب; A1. Nanostructure; A1. Characterization; A1. Growth models; A1. Defects; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Thermal optimization of CZ bulk growth and wafer annealing for crystalline dislocation-free silicon

Keywords: A1 عیوب; A1. Computer simulation; A1. Defects; A1. Heat transfer; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Studies on conventional and Sankaranarayanan–Ramasamy (SR) method grown ferroelectric glycine phosphite (GPI) single crystals

Keywords: A1 عیوب; A1. Crystal morphology; A1. Defects; A1. Directional solidification; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solutions

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Study on micro-crystallization, growth, optical properties and defects of a nonlinear optical crystal: MnHg(SCN)4

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A2. Growth from solutions; B2. Nonlinear optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effect of growth pressure on coalescence thickness and crystal quality of GaN deposited on 4H–SiC

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Nucleation; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Spherulite-shaped cristobalite by fused silica devitrification

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Transmission electron microscopy; A1. X-ray diffraction; A2. Silica devitrification; A2. Spherulite growth; B1. Cristobalite

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

A comparative study on growth, structural, optical, thermal and mechanical properties of undoped and dye doped bis glycine cadmium chloride single crystals

Keywords: A1 عیوب; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Doping; A1. High-resolution X-ray diffraction; A2. Growth from solutions

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Controlling structural quality of ZnO thin film on c-plane sapphire during pulsed laser deposition

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A3. Laser epitaxy; B1. Oxides; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Epitaxial lateral overgrowth of non-polar GaN(1Â 1ÌÂ 0Â 0) on Si(1Â 1Â 2) patterned substrates by MOCVD

Keywords: A1 عیوب; A1. Crystal morphology; A1. Defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Defects in a-GaN grown on r-sapphire by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Dislocations; A1. Transmission electron microscopy; A3. Epitaxial lateral overgrown; A3. Hydride vapor phase epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Morphological evolution during epitaxial lateral overgrowth of indium phosphide on silicon

Keywords: A1 عیوب; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B2. Semiconductor III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Investigations of defect evolution and basal plane dislocation elimination in CVD epitaxial growth of silicon carbide on eutectic etched epilayers

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Basal plane dislocation; A1. Etching; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Germanium doping for improved silicon substrates and devices

Keywords: A1 عیوب; A1. Characterization; A1. Defects; A2. Czochralski method; B1. Germanium silicon alloys; B2. Semiconducting silicon; B3. Diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

New insights into the structure of Pd-Au nanoparticles as revealed by aberration-corrected STEM

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; B1. Nanomaterials; B1. Metals; B1. Alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Electron backscatter diffraction analysis of a CZT growth tip from a vertical gradient freeze furnace

Keywords: A1 عیوب; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Growth models; A2. Gradient freeze technique; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Threading dislocations in n- and p-type 4H–SiC material analyzed by etching and synchrotron X-ray topography

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Doping; A1. Etching; A1. X-ray topography; B1. Silicon Carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth mechanism of c-axis-oriented AlN on (1 1 1) diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Diamond; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Structural property of m-plane ZnO epitaxial film grown on LaAlO3 (1Â 1Â 2) substrate

Keywords: A1 عیوب; A3. m-plane ZnO; B1. LaAlO3; A1. Defects; A3. Transmission electron microscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Mixed-phase solidification of thin Si films on SiO2

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Recrystallization; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Vacancy defects in bulk ammonothermal GaN crystals

Keywords: A1 عیوب; A1. Characterization; A1. Defects; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Revealing extended defects in HVPE-grown GaN

Keywords: A1 عیوب; A1. Etching; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Hydride vapor phase epitaxy of GaN boules using high growth rates

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Substrates; A2. Single crystal growth; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Development of m-plane GaN anisotropic film properties during MOVPE growth on LiAlO2 substrates

Keywords: A1 عیوب; A1. Defects; A1. X-ray diffraction; A3. Chemical vapour deposition processes; B2. Semiconducting III–V materials