دانلود مقالات ISI درباره A1 ناخالصی ها + ترجمه فارسی

Fabrication and characterizations of nitrogen-doped BaSi2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 ناخالصی ها; A3. Molecular beam epitaxy; A1. Impurities; B2. Semiconducting silicon compounds; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 24 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Growth undercooling in multi-crystalline pure silicon and in silicon containing light impurities (C and O)

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Directional solidification; A1. Characterization; A1. Growth laws; A1. Impurities; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 25 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Origin and effective reduction of inversion domains in aluminum nitride grown by a sublimation method

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Impurities; A1. Segregation; A2. Growth from vapor; A2. Single crystal growth; B1. Nitride; B1. Aluminum nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 29 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Experimental study of growth mechanism of GaAs microchannel epitaxy - Study of pinning effect of Si-doping

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Doping; A1. Impurities; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effect of iron addition (up to 10,000 ppmw) on silicon purification during Al–Si solvent refining

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Impurities; A1. Purification; A2. Growth from melt; B1. Alloys; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effect of ramping on oxygen precipitates and Cu–vacancy complex in Czochralski silicon

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Impurities; A1. Radiation; A2. Defects; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Numerical simulation of the oxygen concentration distribution in silicon melt for different crystal lengths during Czochralski growth with a transverse magnetic field

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Impurities; A1. Magnetic fields; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Influence of high-temperature processing on the surface properties of bulk AlN substrates

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Impurities; A2. Point defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Quartz; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Basic ammonothermal GaN growth in molybdenum capsules

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Impurities; A2. Ammonothermal crystal growth; A2. Single crystal growth; B1. Bulk GaN; B1. Molybdenum nitride; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effect of tin addition on the distribution of phosphorus and metallic impurities in Si–Al alloys

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Segregation; A1. Impurities; A2. Solvent refining; B1. Tin addition

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

GaN films and GaN/AlGaN quantum wells grown by plasma assisted molecular beam epitaxy using a high density radical source

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Crystal morphology; A1. Impurities; A1. Point defects; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Evolution of impurity incorporation during ammonothermal growth of GaN

Keywords: A1 ناخالصی ها; 00-01; 99-00; A1. Impurities; A2. Ammonothermal crystal growth; A2. Single crystal growth; B1. Bulk GaN; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Incorporation and effects of impurities in different growth zones within basic ammonothermal GaN

Keywords: A1 ناخالصی ها; 00-01; 99-00A1; A1. Impurities; A2. Ammonothermal crystal growth; A2. Single crystal growth; B1. Bulk GaN; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

A study on the effect of the polymeric additive HPMC on morphology and polymorphism of ortho-aminobenzoic acid crystals

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Crystal morphology; A1. Impurities; A2. Growth from solutions; B1. Organic compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Study of carbon concentration in GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Impurities; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

HVPE GaN wafers with improved crystalline and electrical properties

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Characterization; A1. Impurities; A1. X-ray diffraction; A2. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 22 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Incorporation of pervasive impurities on HVPE GaN growth directions

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Characterization; A1. Impurities; A1. X-ray diffraction; A2. Vapor Phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 27 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effect of interfacial oxygen on the microstructure of MBE-grown homoepitaxial N-polar GaN

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Defects; A1. Impurities; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; N-polar nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

High-quality InSb growth by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Characterization; A1. Impurities; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Si-doped AlGaAs/GaAs(6 3 1)A heterostructures grown by MBE as a function of the As-pressure

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Atomic force microscopy; A1. Impurities; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Unintentional boron contamination of MBE-grown GaInP/AlGaInP quantum wells

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Defects; A1. Impurities; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Resonant Raman and FTIR spectra of carbon doped GaN

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Doping; A1. Impurities; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Numerical investigation of carbon contamination during the melting process of Czochralski silicon crystal growth

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Computer simulation; A1. Impurities; A1. Mass transfer; A2. Czochralski method;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Czochralski growth of heavily indium-doped Si crystals and co-doping effects of group-IV elements

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Doping; A1. Segregation; A1. Impurities; A1. Solubility; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Czochralski growth of heavily tin-doped Si crystals

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Doping; A1. Segregation; A1. Impurities; A1. Solubility; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of H2 carrier gas on the physical properties of a GaN layer grown using Ga2O vapor and NH3

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Line defects; A1. Impurities; A2. Single crystal growth; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

A new photoluminescence band in copper-contaminated n-type Czochralski silicon

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Characterization; A1. Impurities; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Control of silicon solidification and the impurities from an Al–Si melt

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Directional solidification; A1. Impurities; A1. Purification; Al–Si alloy; Technical process

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Minority-carrier lifetime and defect content of n-type silicon grown by the noncontact crucible method

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Defects; A1. Impurities; A2. Top-seeded solution growth; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Crystal polarity role in Mg incorporation during GaN solution growth

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Etching; A1. Growth from solution; A1. Impurities; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Improved growth rates and purity of basic ammonothermal GaN

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Growth rate; A1. Impurities; A2. Ammonothermal crystal growth; A2. Single crystal growth; B1. Bulk GaN; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 46 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Luminescence properties of CsI crystals grown from the melt treated by metals-getters

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Impurities; A1. Purification; A2. Bridgman technique; B1. Halides; B2. Scintillation materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of growth temperature on the impurity incorporation and material properties of N-polar GaN films grown by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Impurities; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

The influence of a small amount of maleic acid on crystal deposition phenomena of methacrylic acid in melt crystallization

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Impurities; A2. Growth from melt; A2. Industrial crystallization; B1. Acids

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Coaxial InGaN epitaxy around GaN micro-tubes: Tracing the signs

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Impurities; A1. Nanostructures; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; A1. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Si growth by directional solidification of Si–Sn alloys to produce solar-grade Si

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Directional solidification; A1. Impurities; A1. Purification; A1. Segregation; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Relationship between oxygen impurity distribution in multicrystalline solar cell silicon and the use of top and side heaters during manufacture

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Directional solidification; A1. Impurities; A1. Computer simulation; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Dependence of nickel gettering on crystalline nature in as-grown Czochralski silicon wafer

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Defects; A1. Impurities; A1. Point defects; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Inclusion behavior of Cs, Sr, and Ba impurities in LiCl crystal formed by layer-melt crystallization: Combined first-principles calculation and experimental study

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Computer simulation; A1. Impurities; A1. Purification; A2. Growth from melt; B1. Salts;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

HPHT synthesis of boron and nitrogen co-doped strip-shaped diamond using powder catalyst with additive h-BN

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Crystal morphology; A1. Doping; A1. Impurities; B1. Diamond

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of flow pattern on the segregation of impurities in vertical Bridgman growth of multi-crystalline silicon

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Segregation; A1. Convection; A1. Numerical simulation; A1. Impurities; A2. Growth from melt; B3. Solar cell

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Mechanism of specific influence of l-Glutamic acid on the shape of l-Valine crystals

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Biocrystallization; A1. Crystal morphology; A1. Crystal structure; A1. Impurities;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth and characterization of large, high quality MoSe2 single crystals

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Characterization; A1. Impurities; A2. Single crystal growth; B1. Transition metal dichalcogenides; B2. Semiconducting materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Segregation of the Eu impurity as function of its concentration in the melt for growing of the lead telluride doped crystals by the Bridgman method

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Doping; A1. Impurities; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting lead compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Purification of melt-spun metallurgical grade silicon micro-flakes through a multi-step segregation procedure

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Segregation; A1. Solidification; A1. Impurities; A2. Single crystal growth; B1. Silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Dynamic simulation of impurity transport and chemical reactions in a Bridgman furnace for directional solidification of multi-crystalline silicon

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Segregation; A1. Convection; A1. Numerical simulation; A1. Impurities; A2. Growth from melt; B3. Solar cell

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Crystal Growth of Hen Egg-White Lysozyme (HEWL) under Various Gravity Conditions

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Biocrystallization; A1. Impurities; A2. Microgravity Condition; B1. lysozyme

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Impact of growth rate on impurities segregation at grain boundaries in silicon during Bridgman growth

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Crystallization; A1. Impurities; A1. Segregation; Multicrystalline Silicon; Seeded growth; Structural defects

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

On growth rate hysteresis and catastrophic crystal growth

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1 Adsorption; A1. Growth models; A1. Impurities; A2. Industrial crystallization; A2. Natural crystal growth; A2. Single crystal growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of bulk AlN single crystals with low oxygen content taking into account thermal and kinetic effects of oxygen-related gaseous species

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Impurities; A2. Growth from vapor; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه