دانلود مقالات ISI درباره A1 ناخالصی ها + ترجمه فارسی

Crystallization of zinc lactate in presence of malic acid

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Impurities; A1. Industrial crystallization; A1. Purification; B1. Zinc lactate; B1. Malic acid;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

The carbon distribution in multicrystalline silicon ingots grown using the directional solidification process

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Impurities; A1. Mass transfer; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Refining of silicon during its solidification from a Si–Al melt

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Impurities; A1. Purification; A1. Segregation; A1. Solidification; A3. Solar cells; B1. Silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

High temperature transformation in the defects and impurities system of PbTe:Eu crystals

Keywords: A1 ناخالصی ها; 61.72.Hh; 61.72.S; 61.72.Yx; 75.20.−g; 75.30.Hx; 75.40.CxA1. Defects; A1. Impurities; A1. Magnetic susceptibility; B1. Europium; B1. Rare-earth elements; B2. Lead telluride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Diffusion of chromium in chrysoberyl

Keywords: A1 ناخالصی ها; 61.72.S; 66.30xj; 67.80dj; A1. Diffusion; A1. Impurities; B1. Chromium; B1. Chrysoberyl;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effect of crucible rotation on oxygen concentration in the polycrystalline silicon grown by the unidirectional solidification method

Keywords: A1 ناخالصی ها; 07.05.Tp; 61.72.sd; 81.10.Fq; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Impurities; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of micro-impurity on protein crystal growth studied by the etch figure method

Keywords: A1 ناخالصی ها; 61.72.Ff; 61.72.sh; A1. Biocrystallization; A1. Etching; A1. Impurities; B1. Lysozyme;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Impurity effects on nucleation of supercooled Lennard-Jones melt: A molecular dynamics study

Keywords: A1 ناخالصی ها; 18.10.Fq; 31.15.Qg; 71.55.Ak; 81.10.Aj; 64.60.Qe; A1. Computer simulation; A1. Impurities; A1. Nucleation; A1. Solidification;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Study of AlGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates subjected to different treatments

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 68.37.Ps; 78.67.De; 68.49.Sf; A1. Carbon; A1. GaAs surface treatment; A1. Impurities; A1. Oxygen; A3. Quantum wells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Study of the oxygen incorporation in Al0.2Ga0.3In0.5P:Be layers grown by MBE employing a P-cracker cell

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Defects; A1. Impurities; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Alloys; B2. Optical properties;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effect of crucible rotation on oxygen concentration during unidirectional solidification process of multicrystalline silicon for solar cells

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.10.FqA1. Directional solidification; A1. Impurities; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of impurity doping on the partitioning of intrinsic ionic species during the growth of LiNbO3 crystal from the melt

Keywords: A1 ناخالصی ها; 73.50.Lw; 81.10.Fq; 81.30.Fb; 84.37+q; 87.60.Np; 87.64.Kp; A1. Electric fields; A1. Impurities; A1. Interfaces; A1. Segregation; A2. Micro-pulling-down growth; B1. Niobates;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Numerical analysis of the formation of Si3N4 and Si2N2O during a directional solidification process in multicrystalline silicon for solar cells

Keywords: A1 ناخالصی ها; 07.05.Tp; 61.72.S−; 81.10.Fq; 81.30.FbA1. Computer simulations; A1. Directional solidification; A1. Impurities; A2. Growth from melt; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

The distribution of impurities in lysozyme crystals

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.10 DnA1. Biocrystallization; A1. Impurities; A1. Purification

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Crystallographic orientation dependence of dopant and impurity incorporation in GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Crystallographic orientation; A1. Impurities; A1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides81.05.Ea; 81.15.Gh; 82.80.Ms; 81.70.Jp

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth rate of α-calcium sulfate hemihydrate in K–Ca–Mg–Cl–H2O systems at elevated temperature

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.10.DnA1. Crystal morphology; A1. Impurities; A1. Solubility; A2. Growth from solutions; B1. Calcium sulfate hemihydrate; B1. Alkali and alkaline earth metal

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Conversion of non-stoichiometry of LiNbO3 to constitutional stoichiometry by impurity doping

Keywords: A1 ناخالصی ها; 73.50.Lw; 81.10.Fq; 81.30.Fb; 84.37+q; 87.60.Np; 87.64.Kp; A1. Electric fields; A1. Interfaces; A1. Segregation; A1. Impurities; A2. Micro-pulling-down growth; B1. Niobates;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effect of impurities on the metastable zone width of solute–solvent systems

Keywords: A1 ناخالصی ها; 64.60.Q−; 81.10.Aj; 81.10.Dn; 61.66.FnA1. Adsorption; A1. Impurities; A1. Metastable zone width; A1. Nucleation; A2. Growth from solutions; A3. Inorganic compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Enhancement of electron mobility in ZnO layers with applying ultrasonic spray-assisted MOVPE and buffer layers

Keywords: A1 ناخالصی ها; 73.61.Ga; 81.05.Dz; 81.15.Gh; 81.15.Kk; A1. Impurities; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Oxide; B1. Zinc compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Comparison of electrical properties in GaN grown on Si(1 1 1) and c-sapphire substrate by MOVPE

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Defects; A1. Doping; A1. Impurities; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; B1. Nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of growth parameters on the sub-bandgap absorption of MOVPE-grown GaN measured using photothermal deflection spectroscopy

Keywords: A1 ناخالصی ها; 82.80.Kq; 81.05.Ea; 78.66.FdA1. Defects; A1. Impurities; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

A novel approach for recycling of kerf loss silicon from cutting slurry waste for solar cell applications

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.30.−t; 61.72.−y; 84.60.JtA1. Directional solidification; A1. Impurities; A1. Purification; B2. Semiconducting materials; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Impurity gettering effect of Te inclusions in CdZnTe single crystals

Keywords: A1 ناخالصی ها; 61.72.Qq; 61.72.sh; 71.55.Gs; A1. Diffusion; A1. Impurities; A1. Segregation; B1. CdZnTe;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Transparent Ga-doped zinc oxide-based window heaters fabricated by pulsed laser deposition

Keywords: A1 ناخالصی ها; 73.61.Ga; 72.80.Ey; 78.20.−e; 68.55.LnA1. Doping; A1. Defects; A1. Impurities; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Isoelectronic nitrogen δ-doping in GaP and single-photon emission from individual nitrogen pairs

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.15.Gh; 71.55.Eq; 78.55.CrA1. Doping; A1. Impurities; A1. Photoluminescence; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of dimethylhydrazine on Zn, C, and H doping of GaP

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.15.Kk; 81.15.Gh; 81.05.Ea; 82.33.Ya; 68.35.Bs; 68.55.Ac; 68.55.Ln; 61.71.Vv; A1. Doping; A1. Impurities; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Estimation of growth rate in unidirectionally solidified multicrystalline silicon by the growth-induced striation method

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.10.Fq; 82.47.JkA1. Directional solidification; A1. Impurities; A2. Accelerated crucible rotation technique, B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Semi-insulating GaN substrates for high-frequency device fabrication

Keywords: A1 ناخالصی ها; 78.30.Fs; 81.05.Ea; 78.40.Fy; 78.55.m; 71.70.Ch; 71.35.−yA1. Characterization; A1. Impurities; A1. X-ray diffraction; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Optical properties of bulk GaN crystals grown from solution at moderate pressure and temperature

Keywords: A1 ناخالصی ها; 78.40.FY; 71.70.Ch; 78.55.−m; 71.35.−y; 81.05.Ea; 78.30.FsA1. Characterization; A1. Impurities; A1. Point defects; A2. Growth from high temperature solutions; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Impurity effects on orientation of lysozyme crystals nucleated on fatty acid thin films

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.10.Aj; 81.15.Lm; 87.14.Ee; 87.15.Kg; 87.15.Nn; A1. Biocrystallization; A1. Atomic force microscopy; A1. Impurities; B1. Lysozyme;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Systematic study of solidification of Lennard-Jones melts including an impurity molecule

Keywords: A1 ناخالصی ها; 18.10.Fq; 31.15.Qg; 71.55.Ak; 81.10.AjA1. Computer simulation; A1. Impurities; A1. Solidification

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Modeling of sucrose crystallization kinetics: The influence of glucose and fructose

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Biocrystallization; A1. Growth models; A1. Impurities; A1. Nucleation; B1. Sucrose

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Concentration distribution of Yb2+ and Yb3+ ions in YbF3:CaF2 crystals

Keywords: A1 ناخالصی ها; 42.70.Hj; 61.72.Ww; 68.35.Dv; 78.20.Ci; 78.40.Ha; 81.10.FqA1. Doping; A1. Impurities; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; B1. Calcium compounds; B1. Rare earth compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Thermodynamical analysis of oxygen incorporation from a quartz crucible during solidification of multicrystalline silicon for solar cell

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.10.FqA1. Directional solidification; A1. Impurities; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

HVPE of scandium nitride on 6H-SiC(0 0 0 1)

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.05Ea; 61.05cp; 61.72sd; 81.15Kk; 81.70Jb; A1. Impurities; A1. X-ray diffraction; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2 Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of high-purity arsine and gallium arsenide epilayers grown by MOCVD

Keywords: A1 ناخالصی ها; 78.55.Cr; 81.15.Gh; 78.66.FdA1. High purity; A1. Impurities; A1. Low temperature photoluminescence; A1. Purification; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B2. Arsine; B2. GaAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Investigation of emission properties of doped aromatic derivative organic semiconductor crystals

Keywords: A1 ناخالصی ها; 42.70.Mp; 78.55.Kz; 81.10.Fq; A1. Characterization; A1. Doping; A1. Impurities; A2. Bridgman technique; B1. Organic compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Lysozyme dimer association: Similarities and differences compared with lysozyme monomer association

Keywords: A1 ناخالصی ها; 36.20.−r; 78.35.+cA1. Biocrystallization; A1. Dynamic light scattering; A1. Impurities; A1. Static light scattering; B1. Lysozyme; B1. Nanomaterials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Grown-in defects in silicon produced by agglomeration of vacancies and self-interstitials

Keywords: A1 ناخالصی ها; 61.72.–y; 61.72.Ji; 61.72.Cc; 61.82.FkA1. Computer simulation; A1. Impurities; A1. Nucleation; A1. Point defects; A1. Volume defects; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effect of solution speciation of impurities on α-glycine crystal habit: A molecular modeling study

Keywords: A1 ناخالصی ها; 31.70.Ks; 34.35.+a; 81.10.DnA1. Computer simulation; A1. Crystal morphology; A1. Impurities; B1. Organic compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Lateral incorporation of vacancies in Czochralski silicon crystals

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.10.Fq; 81.10.Aj; 81.05.Cy; 61.72.Yx; 61.72.Jd; 61.72.Jj; 61.72.Cc; 61.82.FkA1. Defects; A1. Impurities; A1. Microdefects; A1. Nucleation; A1. Point defects; A2. Czhochralski method B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of foreign metal ions on crystal growth and morphology of brushite (CaHPO4, 2H2O) and its transformation to octacalcium phosphate and apatite

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.10.Aj; 81.10.DnA1. Crystal morphology; A1. Impurities; A1. Recrystallization; A2. Growth from solutions; B1. Calcium compounds; B1. Phosphates

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Defect dynamics in the presence of nitrogen in growing Czochralski silicon crystals

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.10.Fq; 81.10.Aj; 81.05.Cy; 61.72.Yx; 61.72.Jd; 61.72.Jj; 61.72.Cc; 61.82.FkA1. Defects; A1. Nucleation; A1. Point defects; A1. Microdefects; A1. Impurities; A2. Czhochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effective segregation coefficient in cluster crystallization model

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.10.Aj; 81.10.Fq; 61.46.Bc; 68.08.−p; 68.35.Dv; A1. Impurities; A1. Interfaces; A1. Segregation; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Electrical properties of undoped and doped MOVPE-grown InAsSb

Keywords: A1 ناخالصی ها; 71.55.EqA1. Doping; A1. Impurities; A1. Surface layer; A3. Metalorganic chemical vapour deposition; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Hydride vapour phase epitaxy growth and characterization of thick GaN using a vertical HVPE reactor

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.05.Ea; 81.10.Dn; 67.57.Pq; 78.55.−m; 73.50.−hA1. Crystal morphology; A1. Impurities; A2. Growth from vapour; A3. Hydride vapour phase epitaxi; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Directional solidification of polycrystalline silicon ingots by successive relaxation of supercooling method

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.10.−hA1. Crystal morphology; A1. Directional solidification; A1. Impurities; A1. Segregation; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Characterization of heavily Sn-doped GaAs grown by migration-enhanced epitaxy

Keywords: A1 ناخالصی ها; 61.72.Vv; 64.75.+g; A1. Doping; A1. Impurities; A1. Segregation; A3. Migration enhanced epitaxy; A3. Molecular-beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Properties of Fe-doped semi-insulating GaN substrates for high-frequency device fabrication

Keywords: A1 ناخالصی ها; A1. Emission; A1. Impurities; A2. Freestanding films; A3. Grown from vapor; B1. Nitrides; B2. Semiconductor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of crystalline defects in Czochralski-grown Si multicrystal on minority carrier lifetime

Keywords: A1 ناخالصی ها; 81.10.Fg; 89.30.CcA1. Defects; A1. Impurities; A2. Czochralski method; A2. Multicrystal growth; B2. Silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه