دانلود مقالات ISI درباره روش چکرالسکی + ترجمه فارسی

Estimation of liquid phase diffusion coefficients of gallium and antimony in germanium from segregation data in crystal growth experiments

Keywords: روش چکرالسکی; 81.05.Cy; 81.10.AjA1. Diffusion; A1. Fluid flows; A1. Segregation; A2. Czochralski method; B1 Germanium–silicon alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Axial stoichiometry variations in lithium niobate crystals grown from near-congruent melts

Keywords: روش چکرالسکی; 81.10.Fq; 81.30.Dz; 81.70.Pg; A1. Phase equilibria; A1. Segregation; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B1. Niobates; B2. Ferroelectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Experimental and computational study of flow instabilities in a model of Czochralski growth

Keywords: روش چکرالسکی; 81.10.Fq; 44.25; 47.20; 47.32A1. Convection; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A2. Czochralski method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth striations and dislocations in highly doped semiconductor single crystals

Keywords: روش چکرالسکی; 61.72.Ff; 61.72.Ss; 61.72.LkA1. Characterization; A1. Defects; A1. Segregation; A1. X-ray topography; A2. Bridgman technique; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Numerical study of heat transport and fluid flow during different stages of sapphire Czochralski crystal growth

Keywords: روش چکرالسکی; 07.05.Tp; 02.70.Dh; 02.60; 44A1. Computer simulation; A1. Fluid flow; A1. Heat transfer; A2. Czochralski method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Simulation of dislocation density: Global modeling of bulk crystal growth by a quasi-steady approach of the Alexander–Haasen concept

Keywords: روش چکرالسکی; 61.72.Bb; 61.72.Lk; 61.82.Fk; 81.05.Ea; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Line defects; A2. Czochralski method; A2. Gradient freeze technique

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Revisiting the constant growth angle: Estimation and verification via rigorous thermal modeling

Keywords: روش چکرالسکی; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A2. Czochralski method; A2. Edge defined film fed growth; A2. Floating zone technique; A2. Growth from melt

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of the Li-evaporation on the Czochralski growth of γ-LiAlO2

Keywords: روش چکرالسکی; 61.72.Ff; 77.84.Bw; 81.10.FqA1. Characterization; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B1. Gamma-LiAlO2; B1. Lithium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Development of oxygen transport model in Czochralski growth of silicon crystals

Keywords: روش چکرالسکی; 81.10.Aj; 81.10.Fq; 47.27.−E; 47.27.−TA1. Computer simulation; A1. Mass transfer; A2. Czochralski method; B1. Silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Delay-based control model for Czochralski growth of high-quality oxides

Keywords: روش چکرالسکی; 81.10.Aj; 81.10.Fq; 81.10.−h; 07.05.Dz; A1. Growth models; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of crystal rotation rate on the melt–crystal interface of a CZ-Si crystal growth in a transverse magnetic field

Keywords: روش چکرالسکی; 07.05.Tp; 68.08.−p; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Magnetic fields; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Distribution coefficient of boron in Si crystal ingots grown in cusp-magnetic Czochralski process

Keywords: روش چکرالسکی; 81.05.Cy; 81.10.FqA1. Distribution coefficient; A1. Dopant concentration; A1. Magnetic intensity; A1. Zero-Gauss plane; A2. Czochralski method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Analysis of twin formation in sphalerite-type compound semiconductors: A model study on bulk InP using statistical methods

Keywords: روش چکرالسکی; 61.72.Mn; 61.71.uj; 81.05.Ea; 81.10.−h; 81.10.FqA1. Defects; A1. Twin formation; A2. Czochralski method; A2. Facets; A2. Growth from melt; A2. Growth rate; A2. LEC; A2. Single crystal growth; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Optimization of the cooling profile to achieve crack-free Yb:S-FAP crystals

Keywords: روش چکرالسکی; 61.72.−y; 71.55.−i; 81.10.Fq; 81.10.AjA1. Defect; A1. Stresses; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B1. Oxides; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Global analysis of heat transfer in CZ crystal growth of oxide taking into account three-dimensional unsteady melt convection: Effect of meniscus shape

Keywords: روش چکرالسکی; 44.40.+a; 47.11.+j; 47.27.Te; 81.10.Aj; 81.10.Fq; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Heat Transfer; A1. Interfaces; A2. Czochralski method; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Properties of rare-earth scandate single crystals (Re=Nd−Dy)

Keywords: روش چکرالسکی; 61.50.−f; 61.50.Nw; 61.72.−y; 64.75.−g; 65.40.DeA1. Crystal structure; A1. Phase diagrams; A1. Substrates; A2. Czochralski method; B1. Perovskites; B1. Rare-earth compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effective segregation coefficient in cluster crystallization model

Keywords: روش چکرالسکی; 81.10.Aj; 81.10.Fq; 61.46.Bc; 68.08.−p; 68.35.Dv; A1. Impurities; A1. Interfaces; A1. Segregation; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

3D computation of oxygen transport in Czochralski crystal growth of silicon considering evaporation

Keywords: روش چکرالسکی; 47.27.Te; 47.27.Eq; 81.05.Cy; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Large-eddy simulation; A1. Oxygen; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and optical properties of Yb3+-doped Ba3Y2(BO3)4 crystal

Keywords: روش چکرالسکی; 42.70.Hj; 78.20.−eA1. Optical microscopy; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B1. Borates; B2. Solid state materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Numerical study of hydrodynamic instabilities during growth of dielectric crystals from the melt

Keywords: روش چکرالسکی; 81.10.Fq; 47.20.-k; 47.20.Bp; 47.20.Ky; 02.60.Cb; 02.30.Oz; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A1. Mass transfer; A2. Czochralski method;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The preferential orientation of the directionally solidified Si–TaSi2 eutectic in situ composite

Keywords: روش چکرالسکی; 81.05.Hd; 81.10.Fq; 81.30.FbA1. Directional solidification; A1. Eutectic in situ composite; A1. Transmission electron microscopy; A2. Czochralski method; A2. Electron beam floating zone melting; B2. Si–TaSi2

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and spectral properties of Yb3+-doped NaY(MoO4)2 crystal

Keywords: روش چکرالسکی; 42.70.Hj; 78.20.−e; A1. Optical microscopy; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt; B2. Molybdate; B2. Solid-state laser materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and optical properties of YBa3B9O18:Ce crystals

Keywords: روش چکرالسکی; 81.10.−h; 29.40.Mc; 42.25.Lc; 78.20.FmA1. Crystal growth; A2. Czochralski method; B1. Borates; B2. Birefringent crystal; B2. Scintillator materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Three-dimensional stability calculations for hydrodynamic model of Czochralski growth

Keywords: روش چکرالسکی; 81.10.Fq; 47.20.−k; A1. Computer simulation; A1. Melt flow instabilities; A2. Czochralski method;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of different types of magnetic fields on the interface shape in a 200 mm Si-EMCZ configuration

Keywords: روش چکرالسکی; 81.05.Cy; 81.10.Fq; 44.27.+g; 47.11.DfA1. Computer simulation; A1. Fluid flow; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of internal radiation on the solid–liquid interface shape in low and high thermal gradient Czochralski oxide growth

Keywords: روش چکرالسکی; 61.50.Ah; 68.45.−v; 44.40.+a; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Radiation; A1. Specular reflection; A2. Czochralski method; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth, structure and spectral characteristics of NaY(W0.8Mo0.2O4)2 crystal

Keywords: روش چکرالسکی; A1. NaY(W0.8Mo0.2O4)2 crystal; A2. Czochralski method; A3. Structural analysis; A4. Raman spectra

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Three-dimensional unsteady modeling analysis of silicon transport in melt during Cz growth of Ge1−xSix bulk crystals

Keywords: روش چکرالسکی; 81.10Aj; 81.10Fq; 47.27E−; 47.27T−A1. Computer simulation; A1. Mass transport; A2. Czochralski method; B1. Ge1−xSix; B1. Si; B1. Ge

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Dissolution of oxygen precipitates in germanium-doped Czochralski silicon during rapid thermal annealing

Keywords: روش چکرالسکی; 61.72.Tt; 61.72.Cc; 71.55.CnA1. Doping; A1. Germanium; A1. Point defects; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B2. Semiconductor silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Crystal growth and characterization of CaxBa1-xNb2O6CaxBa1-xNb2O6 (CBN) in the composition range of 0.22⩽xCa⩽0.350.22⩽xCa⩽0.35

Keywords: روش چکرالسکی; 68.35.Dv; 68.55.Nq; 77.84.−s; 81.10.Fq; 81.30.HdA1. Congruent melting composition; A1. Density; A1. Lattice parameters; A2. Crystal growth; A2. Czochralski method; B1. Calcium barium niobate; B1. Tetragonal tungsten bronze

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Synthesis and absorption spectra of large homogeneous single crystals of forsterite doped with manganese

Keywords: روش چکرالسکی; 78.40.−q; 81.10.Fq; 81.70.Jb; 91.65.−nA1. Doping; A1. Pleochroism; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B1. Large-diameter crystal

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and spectroscopy of Dy3+ doped in ZnWO4 crystal

Keywords: روش چکرالسکی; 71.20.Eh; 78.20.−eA1. Spectroscopy; A2. Czochralski method; B1. ZnWO4:Dy3+

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

A global analysis of heat transfer in the CZ crystal growth of oxide: Recent developments in the model

Keywords: روش چکرالسکی; 44.40.+a; 47.27.Te; 61.80.Az; 81.10.Aj; 81.10.FqA1. Global analysis of heat transfer; A1. Internal radiation; A2. Czochralski method; A2. Interface inversion

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Microstructure characterization of location-controlled Si-islands crystallized by excimer laser in the μ-Czochralski (grain filter) process

Keywords: روش چکرالسکی; 81.10.Fq; 81.05.Cy; 61.72.−y; 61.72.Mm; A1. Crystal structure; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and optical property of ZnWO4: Er3+ crystal

Keywords: روش چکرالسکی; 71.20.Eh; 78.20.−e; A1. Spectroscopy; A2. Czochralski method; B1 ZnWO4: Er3+;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Point defect behavior in Si crystal grown by electromagnetic Czochralski (EMCZ) method

Keywords: روش چکرالسکی; 81.05.Cy; 81.10.Fq; A1. Crystal-melt interface shape; A1. Electromagnetic force; A1. Point defects; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of the crystal–melt interface on the grown-in defects in silicon CZ growth

Keywords: روش چکرالسکی; 81.05.Cy; 81.10.FyA1. Convection; A1. Defects; A1. Interface shape; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Si multicrystals grown by the Czochralski method with multi-seeds

Keywords: روش چکرالسکی; 81.10.Fg; 89.30.Cc; A1. Dislocations; A1. Minority carrier lifetime; A1. Sub-grain-boundary; A2. Czochralski method; A2. Multicrystal growth; B2. Si crystal;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of crystalline defects in Czochralski-grown Si multicrystal on minority carrier lifetime

Keywords: روش چکرالسکی; 81.10.Fg; 89.30.CcA1. Defects; A1. Impurities; A2. Czochralski method; A2. Multicrystal growth; B2. Silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and spectroscopic characteristics of Yb:LPS single crystal

Keywords: روش چکرالسکی; 42.55.YeA1. Crystal growth; A2. Czochralski method; B1. Ytterbium; B2. Laser crystal; B2. Lutetium pyrosilicate (LPS)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Three-dimensional instabilities in Czochralski process of crystal growth from silicon melt

Keywords: روش چکرالسکی; 81.10; 47.20; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Crystal growth; A2. Czochralski method;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth, refractive index and spectroscopic characteristic of Yb3+:Ca2La2/3(VO4)2 crystal

Keywords: روش چکرالسکی; 42.70.Hj; 65.40.−b; 78.20.−e; A1. Optical microscopy; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt; B2. Solid-state laser materials; B2. Vanadate;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Crystal-originated particles in germanium-doped Czochralski silicon crystal

Keywords: روش چکرالسکی; 61.72.Tt; 61.72.Cc; 71.55.CnA1. Doping; A1. Germanium; A1. Point defects; A2. Czochralski method; A2. Single-crystal growth; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Judd–Ofelt analysis of spectroscopic properties of Tm3+, Ho3+ doped GdVO4 crystals

Keywords: روش چکرالسکی; A1. Polarized absorption; A1. Doping; A2. Czochralski method; B1. Thulium compounds; B3. Solid state lasers; B3. Eye-safe laser

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Sodium gadolinium tungstate NaGd(WO4)2: Growth, crystallography, and some physical properties

Keywords: روش چکرالسکی; 81.10.Fq; 61.10.Nz; 65.40.DeA1. X-ray diffraction; A2. Czochralski method; B1. Gadolinium compounds; B1. Tungstates

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Combined effect of DC magnetic fields and free surface stresses on the melt flow and crystallization front formation during 400 mm diameter Si Cz crystal growth

Keywords: روش چکرالسکی; 81.10.Fq; 81.10.Aj; 47.27.Eq; 47.27.Te; 83.20.JpA1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Turbulent convection; A2. Czochralski method; B2. Silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Liquid-encapsulated Czochralski growth of Ga1−xInxAs single crystals with uniform compositions

Keywords: روش چکرالسکی; 64.75.+g; 81.05.Ea; 81.10.Fq; A1. Segregation; A2. Czochralski method; A2. Double crucible technique; A2. Liquid-encapsulated Czochralski method; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Czochralski growth of Ga1−xInxSb single crystals with uniform compositions

Keywords: روش چکرالسکی; 64.75.+g; 81.05.Ea; 81.10.Fq; A1. Segregation; A2. Czochralski method; A2. Double-crucible technique; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Global analysis of heat transfer considering three-dimensional unsteady melt flow in CZ crystal growth of oxide

Keywords: روش چکرالسکی; 44.40.+a; 47.11.+j; 47.27.Te; 81.10.Aj; 81.10.FqA1. Global analysis of heat transfer; A1. Interface inversion; A1. Internal radiative heat transfer; A2. Czochralski method; B1. Oxide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and spectral characterization of Yb3+:LiLa(WO4)2 crystal

Keywords: روش چکرالسکی; 42.70.Hj; 78.20.−e; A1. Optical microscopy; A2. Czochralski method; B1. Tungstate; B1. Solid-state laser materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه