دانلود مقالات ISI درباره B3 دیودهای لیزری + ترجمه فارسی

Nitride-based laser diodes by plasma-assisted MBE—From violet to green emission

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 42.55.Px; 85.35.Be; 42.60.By; 73.21.CdA3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Ambience effects in annealing on improvements of optical properties of GaInNAs/GaAs single quantum wells

Keywords: B3 دیودهای لیزری; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Optimizing the GaAs capping layer growth of 1.3 μm InAs/GaAs quantum dots by a combined two-temperature and annealing process at low temperatures

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 81.07.Ta; 81.16.Dn; 81.05.Ea; 78.67.Hc; 68.37.Ps; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum dots; B2. InAs; B2. GaAs; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Fabrication and properties of GaN-based lasers

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 73.40.Kp; 61.72.Ff; 42.55.Ah; 42.55.Px; 42.60.By; 42.60.Lh; A3. Metal organic chemic vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Monolithic integration of Ga(NAsP)/(BGa)P multi-quantum well structures on (0 0 1) silicon substrate by MOVPE

Keywords: B3 دیودهای لیزری; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. Dilute nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Laser diodes; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Light-emitting diode development on polar and non-polar GaN substrates

Keywords: B3 دیودهای لیزری; A3. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V Materials; B3. Laser diodes; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of MOVPE growth temperature on the structural and optical properties of InGaN MQW laser diodes

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 81.15.Gh; 81.07.St; 42.55.Px; 68.37.Ps; 78.60.Hk; 78.55.Cr; A1. Characterization; A1. Interfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Optimization of the highly strained InGaAs/GaAs quantum well lasers grown by MOVPE

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 81.15.Gh; 68.65.Fg; 78.55.CrA1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Optimization of the cooling profile to achieve crack-free Yb:S-FAP crystals

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 61.72.−y; 71.55.−i; 81.10.Fq; 81.10.AjA1. Defect; A1. Stresses; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B1. Oxides; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The reactive ion etching characteristics of AlGaN/GaN SLs and etch-induced damage study of n-GaN using Cl2/SiCl4/Ar plasma

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 52.77.−jA1. Defects; A1. Etching; A1. Surfaces; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Butt-coupled MOVPE growth for high-performance electro-absorption modulator integrated with a DFB laser

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 68.55.Jk; 78.55.Cr; 42.55.Px; 81.15.GhA1. Coupling efficiency; A3. Butt-joint scheme; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; A3. Selective area growth (SAG); B2. Semiconducting indium phosphide; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

MOVPE growth conditions of the novel direct band gap, diluted nitride Ga(NAsP) material system pseudomorphically strained on GaP-substrate

Keywords: B3 دیودهای لیزری; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Dilute nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Post-growth thermal annealing of high N-content GaAsN by MOVPE and its effect on strain relaxation

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 61.10.Nz; 68.37.Yz; 78.30.Fs; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 81.11.KkA1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Optical property; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. III–V-nitrides; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Photoluminescence study of AlGaInP/GaInP quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 73.61.Ey; 81.05.Ea; 61.72.Vv; 81.15.GhA1. Diffusion; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

(InP)5/(Ga0.47In0.53As)4 short-period superlattices waveguides for InAs quantum wires lasers

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 42.55.Px; 73.21.Cd; 73.21.Hb; A1. Low-dimensional structures; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Realization of 1.3 μm InAs quantum dots with high-density, uniformity, and quality

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 78.67.Hc; 81.07.Ta; A1. Low-dimensional structures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Monolithically integrated twin ring diode lasers for rotation sensing applications

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 42.82.Bq; 42.55.Px; 42.60.DaA1. Low-dimensional structures; B3. Laser diodes; B3. Optoelectronic integrated circuits; B3. Ring lasers

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

MOCVD growth of highly strained 1.3 μm InGaAs:Sb/GaAs vertical cavity surface emitting laser

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 45.55.Px; 81.15.Gh; 78.55.Cr; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. InGaAs:Sb; B2. Semiconductor; B3. Laser diodes; B3. Optical fiber devices; B3. VCSELs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The role of monolithic integration in advanced laser products

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 42.55.PxA1. Nanostructures; B2. Semiconducting gallium arsenide; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Heat management of MBE-grown antimonide lasers

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 81.05.Ea; 42.55.Px; 81.15.Hi; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B3. Infrared devices; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Low threshold InGaAsN/GaAs lasers beyond 1500 nm

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 42.55.Px; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Arsenides; B1. Dilute nitrides; B2. Semiconducting quarternary alloys; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

InP-based quantum dash lasers for wide gain bandwidth applications

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 42.55.Px; 85.60.Bt; A1. Low-dimensional structures; A3. Self-organized growth; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dashes; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of type II InSb/InAs nanostructures with InSb sub-monolayers

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 68.65.+g; 78.66.−w; 81.05.Dz; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 85.30.Vw; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B2. Semiconducting materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy, photoluminescence and lasing of GaAs/GaSbAs QD nanostructures

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 68.66.Hb; 73.21.La; 78.55.Cr; 78.67.Hc; 81.07.Ta; 81.15.Hi; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

MBE growth optimization of Sb-based interband cascade lasers

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 42.55.Px; 85.60.Jb; 78.66.−w; 73.40.−c; 81.15.Hi; A3. Molecular beam epitaxy; B3. Laser diodes; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

InGaN laser diodes and high brightness light emitting diodes grown by molecular beam epitaxy

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 42.55.Px; 81.15.Hi; 85.60.Jb; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

High-power 1.3μm InAs/GaInAs/GaAs QD lasers grown in a multiwafer MBE production system

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 81.15.H; 85.30.V; 85.60.J; 42.55.S; A1. Low-dimensional structures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

InGaAlAs selective-area growth on an InP substrate by metalorganic vapor-phase epitaxy

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 42.55.Px; 81.15.Gh; 81.15Kk; A3. Low pressure; metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting indium phosphide; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Material quality improvements of ultra-broadband gain materials grown by selective-area-growth techniques

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 81.15.Gh; 81.15.−z; 42. 55.Px; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Selective-area-growth; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

>100% output differential efficiency 1.55-μm VCSELs using submonolayer superlattices digital-alloy multiple-active-regions grown by MBE on InP

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 42.55.Px; 78.66.−w; 81.15.Hi; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B3. Laser diodes; B3. Vertical cavity lasers;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The opportunities, successes and challenges for GaInNAsSb

Keywords: B3 دیودهای لیزری; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 78.60.Fi; A3. Heteroepitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Dilute nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconducting devices; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه