دانلود مقالات ISI درباره Finfet + ترجمه فارسی

Analytical threshold voltage model with TCAD simulation verification for design and evaluation of tri-gate MOSFETs

Keywords: MOSFET; Device modeling; Analytical models; Threshold voltage; Double gate; FinFET; Tri-gate; Triple gate; Undoped; Inversion; TCAD simulation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Evaluation of triple-gate FinFETs with SiO2–HfO2–TiN gate stack under analog operation

Keywords: FinFET; Analog operation; Triple-gate; Volume inversion; Intrinsic gain; Early voltage

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Impact of fin width on digital and analog performances of n-FinFETs

Keywords: FinFET; MuGFET; Analog; Digital; Fin width

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of crystal orientation and body doping on trigate transistor performance

Keywords: 85.30.De; 85.30.TvTrigate; FinFET; Double gate; MOSFET; Mobility

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Quantum-mechanical effects and gate leakage current of nanoscale n-type FinFETs: A 2d simulation study

Keywords: FinFET; Double-gate MOSFET; Quantum-mechanical effect; Gate leakage current; Numerical Simulation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Scalable and multibias high frequency modeling of multi-fin FETs

Keywords: FinFET; Scattering parameters; Equivalent circuit model; Multi-bias; Scalability; Multi-fins

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Lateral coupling and immunity to substrate effect in ΩFET devices

Keywords: SOI; FinFET; ΩFET; Coupling effects; Lateral coupling; Back-gate biasing; Drain-induced virtual substrate biasing (DIVSB);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effective mobility in FinFET structures with HfO2 and SiON gate dielectrics and TaN gate electrode

Keywords: FinFET; carrier mobility; high-k dielectrics; HfO2; SiON;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Electron mobility in multi-FinFET with a (111) channel surface fabricated by orientation-dependent wet etching

Keywords: FinFET; Double-gate MOSFET; Orientation-dependent wet etching; Rectangular cross-section Si-fin; Mobility;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Shift and ratio method revisited: extraction of the fin width in multi-gate devices

Keywords: FINFET; Shift and ratio; Fin width;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

NVM based on FinFET device structures

Keywords: FinFET; SONOS; NROM; NVM; Flash; Charge trapping memory; Tri-gate transistor;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Body-tied triple-gate NMOSFET fabrication using bulk Si wafer

Keywords: 85.30. T; 85.40. V; FinFET; Body-tied; Omega; MOSFET; Bulk; DIBL; SCE;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Multiple gate devices: advantages and challenges

Keywords: Multiple gate transistors; Double-gate; FinFET; Gate-all-around; MOSFET scaling;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Nanoscale FinFET simulation: A quasi-3D quantum mechanical model using NEGF

Keywords: FinFET; Ballistic; NEGF; 3-D simulation; Quantum effects; Ultra-thin channel;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه