آشنایی با موضوع

مقاومت حافظه‌دار یا ممریستور Memristor عنصری دو پایه است با عملکردی شبیه مقاومت که امروزه به عنوان چهارمین عنصر مدار های الکتریکی شناخته و در ابعاد نانو ساخته می شود. مقدار این مقاومت به مقدار ولتاژ، پلاریته ولتاژ و زمان ولتاژ اعمای بستگی دارد و بر طبق منحنی هیسترزیس آن می توان ثابت نمود که مقدار این مقاومت در طول زمان ثابت باقی می ماند. منحنی هیسترتیک جریان – ولتاژ در ممریستور باعث می شود تا این عنصر بتواند به عنوان یک حافظه مقاومتی غیر فرار عمل کرده و اطلاعات را تا زمانی که ولتاژی با مقدار و پلاریته متفاوتی به آن اعمال شود حتی تا یک سال بعد به یاد آورد. ممریستور می تواند جایگزین بسیاری از ترانزیستور ها در بسیاری ترانزیستور ها در بعضی از مدارات شده و جای کمتری اشغال کند. ممریستورها کلاس جدیدی از مدارهای الکترونیکی به شمار می آیند که می توانند عصر سیلیکونی را برای همیشه به پایان ببرند. یک ممریستور دارای مقاومت وابسته به ولتاژ است، که مقاومت آن با مقاومت الکتریکی که مقدار ثابتی دارد متفاوت است. ماده ممریستور باید یک مقاومت برگشت پذیر با تغییر ولتاژ باشد. ممریستورهای ایده آل متقارن هستند. رابطه بین جریان و ولتاژ به صورت صحیح و زوج و در دو طرف محور مختصات با هم برابر است. در واقعیت، مشخصه جریان- ولتاژ ممریستور معمولاً به صورت کج است. با این حال، ممریستور دی سولفید مولیبدن که یو هانگ هون بررسی نمود دارای تقارن ایده آل است. این اتفاق پیش بینی مواد بیشتری که جهت استفاده در صنعت الکترونیک سازگار هستند را تقویت می کند. تاریخچه: در سال ۱۹۷۱، لئون چوا، با فرمول‌های ریاضی و فیزیکی، اساس این تکنولوژی را اثبات کرد؛ ولی ۳۷ سال طول کشید تا برای اولین تکنولوژی آن به‌طور عملی به ثبت رسید. آزمایشگاه شرکت HP، به سرپرستی استانلی ویلیامز، ادعا کرد که یک سوئیچ با این تکنولوژی ابداع کرده‌است. در زیر به تفصیل مطالبی در مورد تاریخچه ممریستور گفته شده است.
در این صفحه تعداد 238 مقاله تخصصی درباره مقاومت حافظه‌دار، ممریستور که در نشریه های معتبر علمی و پایگاه ساینس دایرکت (Science Direct) منتشر شده، نمایش داده شده است. برخی از این مقالات، پیش تر به زبان فارسی ترجمه شده اند که با مراجعه به هر یک از آنها، می توانید متن کامل مقاله انگلیسی همراه با ترجمه فارسی آن را دریافت فرمایید.
در صورتی که مقاله مورد نظر شما هنوز به فارسی ترجمه نشده باشد، مترجمان با تجربه ما آمادگی دارند آن را در اسرع وقت برای شما ترجمه نمایند.
مقالات ISI مقاومت حافظه‌دار، ممریستور (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.