![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Improved performance of In0.83Ga0.17As/InP photodetectors through modifying the position of In0.66Ga0.34As/InAs superlattice electron barrier
Keywords: متامورفیک; Photodetector; Electron barrier; Superlattice; InGaAs; Metamorphic;