کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1674357 1008962 2007 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Metamorphic InGaAs quantum wells for light emission at 1.3–1.6 μm
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Metamorphic InGaAs quantum wells for light emission at 1.3–1.6 μm
چکیده انگلیسی

Metamorphic InGaAs quantum well structures grown on GaAs reveal strong light emission at 1.3–1.6 μm, smooth surface with an average roughness below 2 nm and good rectifying I–V characteristics. Dark line defects are found in the QW. Post growth thermal annealing further improves the luminescence efficiency but does not remove those dark line defects. Some challenges of epitaxial growth using this method for laser applications are discussed.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 10, 26 March 2007, Pages 4348–4351
نویسندگان
, , , , , , , , ,