کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1666951 | 1518083 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An InP/InGaAs metamorphic δ-doped heterojunction bipolar transistor with high current gain and low offset voltage
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Excellent dc performance of an InP/InGaAs metamorphic δ-doped heterojunction bipolar transistor (HBT) using a linearly graded InxGa1 − xP metamorphic buffer layer grown on GaAs substrate is demonstrated. The employment of a δ-doped sheet between two undoped spacer layers could eliminate the potential spike at base–emitter junction and increase the effective barrier, which could prevent the hole injection from base into emitter. A maximum current gain of 255, a low offset voltage of 105 mV, and a small second (third) harmonic distortions of 0.545 (− 0.05) at VCE = 2.5 V are obtained. The current gain and offset voltage are the best values than that of the previous InP/InGaAs metamorphic HBT.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 521, 30 October 2012, Pages 172–175
Journal: Thin Solid Films - Volume 521, 30 October 2012, Pages 172–175
نویسندگان
Jung-Hui Tsai, Wen-Shiung Lour, Yi-Ting Chao, Sheng-Shiun Ye, Yung-Chun Ma, Jia-Cing Jhou, You-Ren Wu, Jhih-Jhong Ou-Yang,