Temperature dependence of the electronic gaps of semiconductors

شناخت وابستگی دما به شکاف مستقیم و غیر مستقیم برای بهینه سازی کاربردهای نیمه هادی ها ضروری است. به لحاظ آزمایشی، این وابستگی دما می تواند بسیار دقیق توسط بیضه سنجی، جذب یا طیف سنجی لومینسانس تعیین شود. ما دوباره وابستگی دمای مستقیم شکاف های مستقیم و غیر مستقیم را در برخی از نیمه هادی های چهارگوش برجسته و بهبود یافته موجود با استفاده از رویکرد اصلاح ساده که با استفاده از عوامل آماری و دانش از نوارهای غالب بین صوتی و عرضی در اندازه گیری شده تراکم فونون محاسبه شده حالت های نیمه هادی مورد بررسی.