کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10669779 | 1008839 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural, optical and electrical properties of indium nitride polycrystalline films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠InN thin films with different thicknesses and good quality were synthesized. ⺠Semiconductor behavior and some contamination by In2O3 were found. ⺠The band gap was close to 1.8 eV compared to 0.7 eV found in pure InN. ⺠The electronic structure for this material was determined.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 15, 31 May 2012, Pages 4848-4852
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 15, 31 May 2012, Pages 4848-4852
نویسندگان
M.V.S. da Silva, D.G.F. David, I. Pepe, A. Ferreira da Silva, J.S. de Almeida, A.L. Gazoto, A.O. dos Santos, L.P. Cardoso, E.A. Meneses, D.L. Graybill, K.M. Mertes,