کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10669789 | 1008839 | 2012 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of Hf- and Ta-aluminates by reactive ion beam mixing of X/Al interfaces (XÂ =Â Hf or Ta)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Hf- and Ta-aluminates thin films grown by reactive ion beam mixing of interfaces. ⺠Study of the kinetics of growth, composition and electronic structure of the films. ⺠Reactive ion beam mixing kinetics of two stages found by factor analysis. ⺠Changes in electronic structure occur during the formation of mixed oxide species.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 15, 31 May 2012, Pages 4902-4910
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 15, 31 May 2012, Pages 4902-4910
نویسندگان
A. Arranz,