کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10669818 | 1008839 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of TiO2 thin film memristor device using electrohydrodynamic inkjet printing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Fabrication of TiO2 thin film memristor device using electrohydrodynamic inkjet printing Fabrication of TiO2 thin film memristor device using electrohydrodynamic inkjet printing](/preview/png/10669818.png)
چکیده انگلیسی
⺠Electrohydrodynamic inkjet technique was used to fabricate memristor device. ⺠The active layer TiO2 presence in the form of anatase. ⺠The optical transmittance of the TiO2 films was 87% in the visible region. ⺠Uniform deposition of TiO2 thin film was achieved. ⺠The Ag/TiO2/Cu device exhibited a bipolar resistive switching behavior.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 15, 31 May 2012, Pages 5070-5074
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 15, 31 May 2012, Pages 5070-5074
نویسندگان
Navaneethan Duraisamy, Nauman Malik Muhammad, Hyung-Chan Kim, Jeong-Dai Jo, Kyung-Hyun Choi,