کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10669837 | 1008842 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improvement of GaN epilayer by gradient layer method with molecular-beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Improvement of GaN epilayer by gradient layer method with molecular-beam epitaxy Improvement of GaN epilayer by gradient layer method with molecular-beam epitaxy](/preview/png/10669837.png)
چکیده انگلیسی
⺠The samples were grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy. ⺠The GaN epilayer was grown on sapphire substrate. ⺠The samples were characterized by X-ray diffraction and atomic force microscopy. ⺠The sample quality was improved by gradient buffer layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 19, 31 July 2012, Pages 6134-6137
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 19, 31 July 2012, Pages 6134-6137
نویسندگان
Yen-Liang Chen, Ikai Lo, Ming-Hong Gau, Chia-Ho Hsieh, Meng-Wei Sham, Wen-Yuan Pang, Yu-Chi Hsu, Jenn-Kai Tsai, Ralf Schuber, Daniel Schaadt,