کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10669895 | 1008845 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hot-wire chemical vapor deposition and characterization of p-type nanocrystalline Si films for thin film photovoltaic applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Hot-wire chemical vapor deposition and characterization of p-type nanocrystalline Si films for thin film photovoltaic applications Hot-wire chemical vapor deposition and characterization of p-type nanocrystalline Si films for thin film photovoltaic applications](/preview/png/10669895.png)
چکیده انگلیسی
⺠p-nc-Si films prepared by hot-wire chemical vapor deposition. ⺠H2 flow rate had an important role in decreasing the deposition rate of p-nc-Si films. ⺠H2 flow rate had an important role in increasing the crystallinity of p-nc-Si films. ⺠Change of microstructure found to affect the electrical properties of p-nc-Si films. ⺠A simple Si heterojunction solar cell with a conversion efficiency of 12.5 % was achieved.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 16, 1 June 2012, Pages 5200-5205
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 16, 1 June 2012, Pages 5200-5205
نویسندگان
Hsin-Yuan Mao, Shih-Yung Lo, Dong-Sing Wuu, Bing-Rui Wu, Sin-Liang Ou, Hsin-Yu Hsieh, Ray-Hua Horng,