کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10669926 | 1008845 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optoelectronic transport property measurements of an amorphous-silicon-passivated c-silicon wafer using non-contacting methodologies
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Optoelectronic transport property measurements of an amorphous-silicon-passivated c-silicon wafer using non-contacting methodologies Optoelectronic transport property measurements of an amorphous-silicon-passivated c-silicon wafer using non-contacting methodologies](/preview/png/10669926.png)
چکیده انگلیسی
⺠Characterization of Si wafer passivated with hydrogenated amorphous silicon films. ⺠Determination of free carrier transport parameters by PhotoCarrier Radiomentry (PCR). ⺠Detailed comparisons of PCR-derived lifetime values with conventional techniques. ⺠PCR method may be used for optoelectronic quality control of the α-Si/c-Si interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 16, 1 June 2012, Pages 5309-5313
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 16, 1 June 2012, Pages 5309-5313
نویسندگان
A. Melnikov, B. Halliop, A. Mandelis, N.P. Kherani,