کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10669967 | 1008845 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-performance amorphous indium-gallium-zinc oxide thin-film transistors with polymer gate dielectric
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The fabrication of amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) with a spin-coated polymer gate dielectric on a glass substrate is reported. The interface state density at the poly(4-vinylphenol)/a-IGZO interface is only around 4.05 Ã 1011 cmâ 2. The TFTs' threshold voltage, subthreshold swing, on-off current ratio, and carrier mobility are 2.6 V, 1.3 V/decade, 1 Ã 105, and 21.8 cm2/V s, respectively. These characteristics indicate that the TFTs are suitable for use as nonvolatile memory devices and in flexible electronic applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 16, 1 June 2012, Pages 5455-5458
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 16, 1 June 2012, Pages 5455-5458
نویسندگان
C.J. Chiu, S.P. Chang, S.J. Chang,