کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10670086 | 1008846 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improvement of InN layers deposited on Si(111) by RF sputtering using a low-growth-rate InN buffer layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Improvement of InN layers deposited on Si(111) by RF sputtering using a low-growth-rate InN buffer layer Improvement of InN layers deposited on Si(111) by RF sputtering using a low-growth-rate InN buffer layer](/preview/png/10670086.png)
چکیده انگلیسی
⺠Improved RF-sputtered InN films on Si(111) using a low-growth-rate InN buffer layer. ⺠Enhanced structural quality confirmed by X-ray diffraction and Raman measurements. ⺠Room-temperature photoluminescence emission at 1.58 eV. ⺠InN films deposited with buffer layer on Si comparable to InN LAYERS on GaN templates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 7, 31 January 2012, Pages 2805-2809
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 7, 31 January 2012, Pages 2805-2809
نویسندگان
S. Valdueza-Felip, J. Ibáñez, E. Monroy, M. González-Herráez, L. Artús, F.B. Naranjo,