کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10670218 | 1008853 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High performance low temperature solution-processed zinc oxide thin film transistor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Amorphous zinc oxide thin films have been processed out of an aqueous solution applying a one step synthesis procedure. For this, zinc oxide containing crystalline water (ZnOâ
 Ã H2O) is dissolved in aqueous ammonia (NH3), making use of the higher solubility of ZnOâ
 Ã H2O compared with the commonly used zinc oxide. Characteristically, as-produced layers have a thickness of below 10 nm. The films have been probed in standard thin film transistor devices, using silicon dioxide as dielectric layer. Keeping the maximum process temperature at 125 °C, a device mobility of 0.25 cm2Vâ 1sâ 1 at an on/off ratio of 106 was demonstrated. At an annealing temperature of 300 °C, the performance could be optimized up to a mobility of 0.8 cm2Vâ 1sâ 1.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 16, 1 June 2011, Pages 5623-5628
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 16, 1 June 2011, Pages 5623-5628
نویسندگان
R. Theissmann, S. Bubel, M. Sanlialp, C. Busch, G. Schierning, R. Schmechel,