کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10670247 | 1008859 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparison of stress migration and electromigration in the fabrication of thin Al wires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Thin Al wires fabricated by stress migration or electromigration. ⺠Similar Al2O3/Al/SiO2/Si structures were used for the preparation of thin Al wires. ⺠Comparison between stress migration and electromigration wire growth mechanism. ⺠Al thin wires also formed with a thin SiO2 layer replacing the native Al oxide layer. ⺠Potential for fabricating Al wires with controlled diameter using atomic migration.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 9, 29 February 2012, Pages 3448-3452
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 9, 29 February 2012, Pages 3448-3452
نویسندگان
Yebo Lu, Hironori Tohmyoh, Masumi Saka,