کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10670313 | 1008859 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Capacitance-voltage and leakage-current characteristics of sol-gel-derived crystalline and amorphous SrTa2O6 thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Sol-gel derived SrTa2O6(STA) thin films showed high dielectric constants of 26-110. ⺠Crystalline and amorphous STA thin films showed different leakage current mechanisms. ⺠Dipolar relaxation caused capacitance change in the crystalline STA thin film. ⺠Amorphous STA thin films showed better capacitance stability. ⺠Electrode polarization contributed to the capacitance stability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 9, 29 February 2012, Pages 3620-3623
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 9, 29 February 2012, Pages 3620-3623
نویسندگان
Li Lu, Takashi Nishida, Masahiro Echizen, Kiyoshi Uchiyama, Yukiharu Uraoka,