کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707327 | 1023644 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Self-assembled InAs quantum dots on anti-phase domains of GaAs on Ge substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
A1. Low dimensional structures - A1 ساختارهای کم حجمA1. Atomic force microscopy - A1 میکروسکوپ نیروی اتمیA1. Nanostructures - A1 نانوساختارهاA3. Molecular Beam Epitaxy - A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولیB2. Semiconducting III–V materials - B2 مواد نیمه هادی III-VB2. Semiconducting germanium - B2 نیمه رسانای ژرمانیوم
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The authors report the formation of self-assembled InAs quantum dots (QDs) grown on GaAs/Ge substrates having anti-phase domains (APDs) by molecular beam epitaxy. The AFM images of InAs QDs grown on different GaAs thicknesses are shown and compared. The samples with InAs coverage of 1.80Â MLs with GaAs thickness of 300 and 700Â nm show non-uniformed size distribution of the dots. Due to anisotropic property of quantum dots, ellipsoidal quantum dots appear. Unexpectedly, most of InAs quantum dots align perpendicularly to anti-phase boundary (APB) and to quantum dot alignment formed in adjacent domains. Photoluminescence spectrum excited by 20Â mW 476-nm Ar+ laser at 20Â K does not show emission peak of InAs QDs. This is due to defects in the GaAs buffer layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 254-258
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 254-258
نویسندگان
W. Tantiweerasophon, S. Thainoi, P. Changmuang, S. Kanjanachuchai, S. Rattanathammaphan, S. Panyakeow,