کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1445769 | 1509610 | 2014 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Elastic softening of sapphire by Si diffusion for dislocation-free GaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Here we report the formation of dislocation-free GaN deposited on a sapphire substrate with an Si-diffused surface layer on top. As is widely accepted, sapphire is elastically harder than GaN. Geometric phase analysis, a strain mapping technique that is used with a transmission electron microscope, shows that, if a small amount of Si is incorporated into sapphire, it becomes elastically softer than GaN. We suggest that the elastically soft sapphire surface layer can accommodate the large mismatches at the GaN/sapphire interface, which necessarily produces dislocation-free GaN.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Acta Materialia - Volume 66, March 2014, Pages 97–104
Journal: Acta Materialia - Volume 66, March 2014, Pages 97–104
نویسندگان
Sung Bo Lee, In-Sung Park, Young-Min Kim, Seung Jo Yoo, Jin-Gyu Kim, Heung Nam Han, Dong Nyung Lee,