کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1544829 | 1512898 | 2013 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dimensionality effects in chalcogenide-based devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠The paper analyses data on prethreshold, switching and programming in chalcogenide. ⺠Mechanism of dimensionality: variation of filament current density is suggested. ⺠Equal area rule links shape of S-NDC curve to programming parameters. ⺠New criterias of material choice for phase-change memory are proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 51, June 2013, Pages 120-127
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 51, June 2013, Pages 120-127
نویسندگان
S.A. Kostylev,