کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1552619 1513205 2016 12 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A new nanoscale fin field effect transistor with embedded intrinsic region for high temperature applications
ترجمه فارسی عنوان
ترانزیستور جدید اثر میدان نانومواد با محیط داخلی جاسازی شده برای کاربردهای درجه حرارت بالا
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش مقاله
ترانزیستور جدید اثر میدان نانومواد با محیط داخلی جاسازی شده برای کاربردهای درجه حرارت بالا
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 96, August 2016, Pages 47-58
نویسندگان
, ,