کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1552757 | 1513209 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigations of quantum efficiency in type-II InAs/GaSb very long wavelength infrared superlattice detectors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The PIN junction of the InAs/GaSb superlattice VLWIR photodiode and the QE of the photodiode obtained experimentally and calculated by an analytical model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 92, April 2016, Pages 330-336
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 92, April 2016, Pages 330-336
نویسندگان
Xiaochao Li, Dongwei Jiang, Yong Zhang, Gang Liu, Dongbo Wang, Qingjiang Yu, Liancheng Zhao,