کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1552932 | 1513215 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dependence of heavy hole exciton binding energy and the strain distribution in GaAs1âxBix/GaAs finite spherical quantum dots on Bi content in the material
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The ground state binding energy of heavy hole excitons confined in GaAs1âxBix/GaAs spherical quantum dots is calculated as a function of dot radius and the Bi content using a Variational method based on 1-s hydrogenic wave functions with effective mass approximation. The parameter shows strong dependence on the Bi mole fraction x, particularly at smaller values of the dot radii. The strain associated with the quantum dot is found to decrease exponentially with increase in dot radius and shows a linear increase with Bi composition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 86, October 2015, Pages 221-227
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 86, October 2015, Pages 221-227
نویسندگان
Subhasis Das, Akant Sagar Sharma, T.D. Das, S. Dhar,