کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1553026 | 1513216 | 2015 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Novel strained superjunction VDMOS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, we have proposed novel strained superjunction (s-SJ) vertical double diffused MOS (VDMOS). Through channel engineering, we have introduced strain effects in s-SJ device using thin separate p-type silicon-germanium (p-SiGe) layer over silicon p-pillar. Further, we have designed process flow for the possible fabrication of s-SJ VDMOS. The proposed s-SJ devices fitted with less input capacitance (Cin) and 1.2â¼3 times higher output current density than conventional SJ VDMOS. Therefore, 40% less gate charge (Qg) is required to turn-on the s-SJ VDMOS and RonA is optimized in between 12% and 46%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 85, September 2015, Pages 461-468
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 85, September 2015, Pages 461-468
نویسندگان
Alok Naugarhiya, Shashank Dubey, Pravin N. Kondekar,