کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554570 | 1513251 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Combined MEIS/TEM study of structural defects in Si implanted with a high dose of 100 keV Si ions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Medium-energy ion scattering and transmission electron microscopy have been used to study the structural perfection of a Si single crystal implanted with 100 keV Si ions at a dose of 1Ã1017Â cmâ2, which exceeds the amorphization threshold by two orders of magnitude. The implantation of Si ions was found to produce a high density of extended defects without amorphization of the Si layer. The increasing depth dependence of the full width at half-minimum of the dip in angular scans of backscattered protons, was observed in a Si layer containing a high density of extended defects, in contrast to the decreasing dependence in the perfect Si crystal.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 45, Issues 4â5, AprilâMay 2009, Pages 177-181
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 45, Issues 4â5, AprilâMay 2009, Pages 177-181
نویسندگان
N.A. Sobolev, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov, V.I. Vdovin,