کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554686 | 998801 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of carrier spillover and Auger recombination on the efficiency droop in InGaN-based blue LEDs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have investigated efficiency droop in InGaN-based blue LEDs by considering radiative, nonradiative, and carrier spillover processes in the context of internal quantum efficiency (IQE) vs. injection current. If relied on fitting only, both the Auger recombination and an empirical formula for carrier spillover are consistent with experiments. However, the dependence of IQE on quantum well parameters and lack of droop in optical pumping experiments support the notion that carrier spillover is the main mechanism in play.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 47, Issue 1, January 2010, Pages 118–122
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 47, Issue 1, January 2010, Pages 118–122
نویسندگان
Xing Li, Huiyong Liu, X. Ni, Ümit Özgür, Hadis Morkoç,