کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554974 | 1513255 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Double-dielectric-mirror InGaN/GaN microcavities formed using selective removal of an AlInN layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We describe the fabrication and optical properties of a 3λ/2 InGaN/GaN-based microcavity using “upper” and “lower” silica/zirconia mirrors. The fabrication of this structure involved selective removal of an AlInN layer following multistep thinning of a free-standing GaN substrate. Photoluminescence spectra show a narrowing of the excitonic emission from InGaN/GaN quantum wells in the microcavity, giving a cavity quality factor Q exceeding 400.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 41, Issues 5â6, MayâJune 2007, Pages 414-418
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 41, Issues 5â6, MayâJune 2007, Pages 414-418
نویسندگان
F. Rizzi, P.R. Edwards, K. Bejtka, F. Semond, E. Gu, M.D. Dawson, I.M. Watson, R.W. Martin,