کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1555170 | 1513254 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Materials characterization of n - ZnO / p - GaN : Mg / c - Al2O3 UV LEDs grown by pulsed laser deposition and metal–organic chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
n-ZnO/p-GaN:Mg hybrid heterojunctions grown on c-Al2O3 substrates showed 375 nm room temperature electroluminescence. It was suggested that the high materials and interface quality obtained using pulsed laser deposition for the n-ZnO growth and metal–organic chemical vapor deposition for the p-GaN:Mg were key factors enabling the injection of holes and the radiative near band edge recombination in the ZnO. In this paper we present the materials characterization of this structure using x-ray diffraction, scanning electron microscopy and atomic force microscopy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 42, Issues 1–6, July–December 2007, Pages 322–326
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 42, Issues 1–6, July–December 2007, Pages 322–326
نویسندگان
D. Rogers, F.H. Teherani, P. Kung, K. Minder, M. Razeghi,