کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1555262 | 1513257 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Energetics of dopant atoms in subsurface positions of diamond semiconductor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present a set of ab initio energetics for a substitutional boron (B) impurity atom in subsurface positions, from the topmost to the fifth atomic layer, of both C(001)-2×1:H and C(111)-1×1:H. We compare the calculated surface-B binding energies with those obtained for P [T. Miyazaki, H. Kato, H. Okushi, S. Yamasaki, e-J. Surf. Sci. Nanotech. 4 (2006) 124]. The surface-P binding energies become larger as the position of P is closer to the two surfaces. They are up to ∼4 eV for C(001)-2×1:H and ∼2.6 eV for C(111)-1×1:H, respectively. For B, in contrast, the binding energies are within ∼0.5 eV for both surfaces. An implication of our finding in the context of a mechanism for P and B doping in diamond is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 40, Issues 4–6, October–December 2006, Pages 574–579
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 40, Issues 4–6, October–December 2006, Pages 574–579
نویسندگان
Takehide Miyazaki, Hiromitsu Kato, Sung-Gi Ri, Masahiko Ogura, Norio Tokuda, Satoshi Yamasaki,