کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1665501 | 1518051 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
TiO2 thin film crystallization temperature lowered by Cu-induced solid phase crystallization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We lowered the crystallization temperature of amorphous TiO2 thin films using a Cu catalyst as either a bottom or cap layer. The Cu bottom layer reduced the crystallization temperature of TiO2 by ~ 30 °C. Depth profile analyses by Rutherford backscattering spectrometry revealed that a very small amount of Cu was sufficient to induce full crystallization of the TiO2 film. Depositing the Cu cap layer and annealing at 210 °C for 3 h yielded a transparent anatase TiO2 thin film upon wet-etching the Cu cap.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 553, 28 February 2014, Pages 17-20
Journal: Thin Solid Films - Volume 553, 28 February 2014, Pages 17-20
نویسندگان
Chang Yang, Yasushi Hirose, Shoichiro Nakao, Tetsuya Hasegawa,