| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 1666412 | 1518071 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of resistive random access memory based on TiN/TaOx/TiN integrated into a 65Â nm advanced complementary metal oxide semiconductor technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Oxide resistive memory ⺠Tantalum oxide ⺠Energy optimization ⺠Performances
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 533, 30 April 2013, Pages 24-28
Journal: Thin Solid Films - Volume 533, 30 April 2013, Pages 24-28
نویسندگان
Therese Diokh, Elise Le-Roux, Simon Jeannot, Carlo Cagli, Vincent Jousseaume, Jean-François Nodin, Mickaël Gros-Jean, Clement Gaumer, Maxime Mellier, Jacques Cluzel, Catherine Carabasse, Philippe Candelier, Barbara De Salvo,