کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1666571 | 1518080 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of nitrogen on structural stability of bismuth doped GeTe films under thermal treatment
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of nitrogen on structural stability of bismuth doped GeTe films under thermal treatment Effect of nitrogen on structural stability of bismuth doped GeTe films under thermal treatment](/preview/png/1666571.png)
چکیده انگلیسی
We investigated the microstructures and electrical properties of 8.4% nitrogen-doped GeBi(6 at.%)Te and GeBi(6 at.%)Te films that were thermally annealed in air atmosphere. Despite annealing in air, GeBi(6 at.%)Te films showed only phase transition from cubic to rhombohedral phases. However, the Ge oxide, island shaped metallic Te, and Ge–Bi–Te phases were generated in 8.4% nitrogen-doped GeBi(6 at.%)Te films.
► We made and annealed GeBi(6 at.%)Te films with and without doped nitrogen.
► GeBi(6 at.%)Te films showed only phase transition from cubic to rhombohedral phases.
► Nitrogen-doped GeBi(6 at.%)Te showed severe oxidation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 524, 1 December 2012, Pages 157–160
Journal: Thin Solid Films - Volume 524, 1 December 2012, Pages 157–160
نویسندگان
Ki-Hong Kim, Jun-Ho Lee, Yong-Koo Kyoung, Sang-Jun Choi,