کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1666619 | 1518082 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crack-free yttria stabilized zirconia thin films by aerosol assisted chemical vapor deposition: Influence of water and carrier gas
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Thin film deposition by aerosol assisted chemical vapor deposition (AA-CVD) ⺠Yttria stabilized zirconia (YSZ) thin films deposited between 300 °C and 600 °C ⺠Water decreases growth rates and leads to crack formation in AA-CVD of YSZ. ⺠Crack-free YSZ thin films deposited using oxygen and/or nitrogen as carrier gas ⺠YSZ thin films deposited by AA-CVD show low shrinkage on annealing at 1000 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 522, 1 November 2012, Pages 58-65
Journal: Thin Solid Films - Volume 522, 1 November 2012, Pages 58-65
نویسندگان
M.V.F. Schlupp, S. Binder, J. Martynczuk, M. Prestat, L.J. Gauckler,