کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1666846 | 1518075 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved microcrystalline silicon and gate insulator interface with a pad/buffer structure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠An amorphous silicon pad layer protects gate insulator from being bombarded. ⺠A microcrystalline silicon buffer layer on the pad is good for channel deposition. ⺠Flat channel/gate insulator interface forms by using pad/buffer structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 529, 1 February 2013, Pages 398-401
Journal: Thin Solid Films - Volume 529, 1 February 2013, Pages 398-401
نویسندگان
C.W. Lin, Y.C. Tsai, Y.L. Chen,