کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1666846 1518075 2013 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved microcrystalline silicon and gate insulator interface with a pad/buffer structure
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Improved microcrystalline silicon and gate insulator interface with a pad/buffer structure
چکیده انگلیسی
► An amorphous silicon pad layer protects gate insulator from being bombarded. ► A microcrystalline silicon buffer layer on the pad is good for channel deposition. ► Flat channel/gate insulator interface forms by using pad/buffer structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 529, 1 February 2013, Pages 398-401
نویسندگان
, , ,