کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1667540 | 1008852 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Doping effects on the stability of stacking faults in silicon crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In silicon crystals annealed at 1173 K, n-type dopant atoms segregate nearby a stacking fault ribbon bound by a pair of partial dislocations and the width of the ribbon is increased. The origin of the width increase is the reduction of the stacking fault energy due to an electronic interaction between the ribbon and the dopant atoms segregating at the ribbon, rather than the reduction of the strain energy around the partial dislocations due to the dopant atoms segregating at the partials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 8, 1 February 2012, Pages 3296–3299
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 8, 1 February 2012, Pages 3296–3299
نویسندگان
Yutaka Ohno, Yuki Tokumoto, Ichiro Yonenaga,