کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1667617 | 1008855 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Rapid thermal annealing of sputter-deposited ZnO/ZnO:N/ZnO multilayered structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Rapid thermal annealing (RTA) of sputter-deposited ZnO/ZnO:N/ZnO multilayered structures formed by a combination of radio-frequency magnetron sputtering and a microwave plasma source was investigated for the fabrication of highly-crystallized ZnO:N films. The assistance of the microwave plasma source resulted in the enhancement of nitrogen incorporation into the ZnO films and the deterioration of film crystallization. On the other hand, crystallization of the ZnO:N layer was improved by RTA with no significant effusion and diffusion of N atoms using a ZnO/ZnO:N/ZnO multilayered structure. The role of the front and bottom ZnO layers during RTA of ZnO/ZnO:N/ZnO multilayered structures is demonstrated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 10, 1 March 2012, Pages 3729–3735
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 10, 1 March 2012, Pages 3729–3735
نویسندگان
Fumiya Watanabe, Hajime Shirai, Yasuhiko Fujii, Tatsuro Hanajiri,