کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1667643 | 1008855 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
CF4 plasma effect combined with rapid thermal annealing for high-k Er2O3 dielectrics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this study, the influence of the duration of CF4 plasma treatment of rapid thermal annealing on high-k Er2O3 dielectrics deposited on polycrystalline silicon was investigated using electrical and material analyses. Results demonstrate that Er2O3 dielectric films annealed at 800 °C and plasma treated with CF4 for a period of 1 min exhibited excellent dielectric performance, including a higher breakdown electric field, lower charge trapping rate, and a larger charge-to-breakdown than the as-deposited sample. Performance improvements were caused by the incorporation of fluorine atoms and the reduction of dangling bonds and defect traps.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 10, 1 March 2012, Pages 3852–3856
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 10, 1 March 2012, Pages 3852–3856
نویسندگان
Chyuan Haur Kao, Hsuan Chi Fan, Shih Nan Cheng, Chien Jung Liao,