کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1668031 | 1008861 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hot-electron relaxation in ZnO films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The energy relaxation of hot electrons in ZnO films was investigated by the electric-field-dependent photoluminescence. From the high-energy tail of photoluminescence, the electron temperature of the hot electrons in ZnO was determined. Longitudinal optical phonon emission alone cannot explain the relationship between the electron temperature and the electron energy loss rate. Instead, it can be explained by a model based on a combination of both the acoustic and longitudinal optical phonon emissions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 10, 1 March 2011, Pages 3421-3424
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 10, 1 March 2011, Pages 3421-3424
نویسندگان
M.D. Yang, S.W. Wu, S.C. Tong, G.W. Shu, Y.W. Liu, J.L. Shen, S.M. Lan, C.H. Wu, Y.H. Huang, T.N. Yang,