کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1668269 | 1008865 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oxygen vacancy in Al2O3: Photoluminescence study and first-principle simulation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Broad photoluminescence (PL) band at 2.97 eV excited in the band near 6.0 eV in amorphous chemical vapor deposition films is related to the neutral oxygen vacancy by analogy with crystalline Al2O3. The identification of this PL band was supported by the results of first-principle quantum chemical simulation, which showed 6.3 and 6.4 eV bands in the extinction spectra for α- and γ-Al2O3, respectively. Other PL bands are attributed to ionized single vacancies (F+-centers), divacancies (F2) and, probably, interstitial Al.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 19, 29 July 2011, Pages 6319–6322
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 19, 29 July 2011, Pages 6319–6322
نویسندگان
V.A. Pustovarov, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, T.P. Smirnova, A.P. Yelisseyev,