کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1668438 | 1008869 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Cu(In,Ga)Se2 solar cells with double layered buffers grown by chemical bath deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Cu(In,Ga)Se2 solar cells with double layered buffers grown by chemical bath deposition Cu(In,Ga)Se2 solar cells with double layered buffers grown by chemical bath deposition](/preview/png/1668438.png)
چکیده انگلیسی
In based mixture Inx(OH,S)y buffer layers deposited by chemical bath deposition technique are a viable alternative to the traditional cadmium sulfide buffer layer in thin film solar cells. We report on the results of manipulating the absorber/buffer interface between the chalcopyrite Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) absorber and CdS or ZnS buffer by addition of a thin In based mixture layer. It is shown that the presence of thin Inx(OH,S)y at the CIGS absorber/CdS or ZnS buffer interfaces greatly improve the solar cell performances. The performances of CIGS cells using dual buffer layers composed of Inx(OH,S)y/CdS or Inx(OH,S)y/ZnS increased by 22.4% and 51.6%, as compared to the single and standard CdS or ZnS buffered cells, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 1, 31 October 2011, Pages 333–337
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 1, 31 October 2011, Pages 333–337
نویسندگان
Z.Q. Li, J.H. Shi, D.W. Zhang, Q.Q. Liu, Z. Sun, Y.W. Chen, Z. Yang, S.M. Huang,