کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
1668654 1008872 2011 4 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Raman spectroscopy of CuIn1 − xGaxSe2 for in-situ monitoring of the composition ratio
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Raman spectroscopy of CuIn1 − xGaxSe2 for in-situ monitoring of the composition ratio
چکیده انگلیسی

Metal organic vapor deposition (MOCVD) is a well known method for preparing high quality and large area CuIn1 − xGaxSe2 (CIGS) absorber layers. Some in-situ non-contact monitoring systems are needed when CIGS absorber layers are manufactured in industry. In this study, CuInSe2 (CIS) and CIGS thin films with different composition ratios, [Cu]/[In + Ga], were prepared by MOCVD using [Me2In(μ-SeMe)]2, hexafluoroacetylacetonate Cu(I) (3,3-dimethyl-1-butene), trimethyl gallium and dimethyle diselenide as the In–Se single source, Cu, Ga and Se precursors, respectively. The Raman shift spectra of the films with various composition ratios were analyzed to produce a basic algorithm that can determine the composition ratios of CIS and CIGS thin films indirectly.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 13, 29 April 2011, Pages 4390–4393
نویسندگان
,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت