کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1668676 | 1008873 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoresponse properties of BaSi2 epitaxial films grown on the tunnel junction for high-efficiency thin-film solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have successfully grown 360-nm-thick undoped n-BaSi2 epitaxial layers on the n+-BaSi2/p+-Si(111) tunnel junction, by molecular beam epitaxy. The external quantum efficiency reached approximately 17.8% at 500Â nm under a reverse bias voltage of 4Â V at room temperature, the highest value ever reported for semiconducting silicides. The quantum efficiency was compared to 240-nm-thick undoped n-BaSi2 epitaxial layers on a p-Si(111) substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 24, 3 October 2011, Pages 8501-8504
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 24, 3 October 2011, Pages 8501-8504
نویسندگان
Takashi Suemasu, Takanobu Saito, Katsuaki Toh, Atsushi Okada, Muhammad Ajmal Khan,