کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1668880 | 1008876 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low temperature chemical vapor deposition of nanocrystalline V2O5 thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Low temperature chemical vapor deposition of nanocrystalline V2O5 thin films Low temperature chemical vapor deposition of nanocrystalline V2O5 thin films](/preview/png/1668880.png)
چکیده انگلیسی
Spatially uniform, carbon-free thin films of V2O5 were deposited on silicon by chemical vapor deposition using vanadium oxide triisopropoxide and water as gaseous precursors, in the temperature range of 100–300 °C. Films with substantial crystallinity were obtained for deposition temperatures as low as 180 °C. The “neat” chemistry that nominally leaves no fragments of ligand or water in the solid promotes film purity and reduces the deposition temperature needed for crystallization. Such deposition temperatures also open up additional possibilities for using crystalline vanadia on fragile substrates such as polymers for electronics and optical applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 11, 31 March 2011, Pages 3663–3668
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 11, 31 March 2011, Pages 3663–3668
نویسندگان
Navaneetha Krishnan Nandakumar, Edmund G. Seebauer,