کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1668934 | 1008876 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth, structural and electrical properties of polar ZnO thin films on MgO (100) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
ZnO films have been grown on (100) oriented MgO substrates by pulsed-electron beam deposition in the room temperature to 500 °C range. Highly (00·2) textured films are obtained for a growth temperature higher than 200 °C, and epitaxial films are formed at 500 °C with the following epitaxial relationships: (1-1·0)ZnO // (110)MgO and (11·0)ZnO // (110)MgO, despite the difference in symmetry between film and substrate. The low temperature resistivity curves evidenced a metal–semiconductor transition for the ZnO films grown in the 300 to 500 °C range which has been interpreted in the frame of the model of conductivity in disordered oxides.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 11, 31 March 2011, Pages 3959–3964
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 11, 31 March 2011, Pages 3959–3964
نویسندگان
M. Nistor, N.B. Mandache, J. Perrière, C. Hebert, F. Gherendi, W. Seiler,