کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1668977 | 1008878 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Initial and degraded performance of thin film CdTe solar cell devices as a function of copper at the back contact
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Copper performs an important role in obtaining high-performance thin-film CdTe solar cell devices. Both initial performance and performance after stress depends strongly on the total copper content at the back-contact, the Cd to Te ratio on the backside, the etching process, and the way the copper is activated. With regard to getting high open circuit voltage a small amount of Cu seems sufficient upon the right anneal treatment. However, regarding open circuit voltage degradation for stressed devices there seems to be an optimum amount of Cu. Te-enrichment does not seem to have a big impact on device stability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 21, 31 August 2011, Pages 7160–7163
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 21, 31 August 2011, Pages 7160–7163
نویسندگان
B.A. Korevaar, R. Shuba, A. Yakimov, H. Cao, J.C. Rojo, T.R. Tolliver,